党的二十大报告强调，要加快实施创新驱动发展战略，加快实现高水平科技自立自强，以国家战略需求为导向，集聚力量进行原创性引领性科技攻关，坚决打赢关键核心技术攻坚战。

　　“终于成功了！”近日，中国电科46所成功制备出2英寸氧化镓同质外延片，实现在该领域的再次突破。

　　走进紧张忙碌的新型半导体材料重点实验室，一台台单晶和外延生长设备映入眼帘，在这些看似神秘的装置里，白色氧化镓粉末聚沙成塔默默生长，由它打磨而成的抛光片、外延片，制作成的各类器件，在消费电子、新能源汽车、特高压输电、轨道交通等领域有着广阔应用前景。

　　氧化镓作为第四代半导体材料可谓“天资卓越”，超大禁带宽度使其能用更少材料制造出更高耐压、更强处理能力的半导体器件。面对氧化镓自主创新重任，46所实施揭榜挂帅，突破2英寸、4英寸氧化镓单晶生长技术，研制出高耐压外延片，为实现氧化镓批量生产打下坚实基础。

　　这是中国电科加快关键基础材料自主创新的生动实践。

　　坚持把科技命脉掌握在自己手中，46所以超宽禁带半导体技术创新为引领，以硅外延产业优势为依托，加快突破先进硅材料和化合物半导体材料原创技术。

　　从率先研制出满足深紫外探测要求的高透氮化铝单晶，技术领先的同带泵浦激光光纤，到大幅提升6英寸砷化镓单晶材料电阻率，从形成硅单晶、硅片、硅外延等完整产业链，到光纤环圈产能产量实现翻番增长。近年来，立足电子功能材料领域深厚基础，46所聚焦“打基础、见成效、跨越式发展”三步走目标，全面布局一代、二代、三代、四代半导体“赛道”，奋力实现系列创新突破。

　　创新实力稳步提升，为产业应用提供了硬支撑。

　　全力推进科技成果转化和产业化发展，46所加快布局第三代半导体材料产业，不断延链扩链强链，不断提升行业地位和影响力，勇担产业链“链长”，奋力打造国内领先、世界先进的材料创新发展集群，支撑我国半导体材料产业蓬勃发展。